하이닉스 반도체(대표 우의제)가 차세대 이동통신단말기와 개인휴대정보단말기(PDA), 디지털 카메라 등 휴대형 정보 기기에 적합한 초저전력 SD램 개발에 성공, 업계 처음으로 양산에 들어갔다.

이 제품은 회로선폭 0.13미크론(1미트론=100만 분의 1m)의 미세회로 공정기술을 적용한 256메가 SD램으로, 동작전압을 기존의 3V 및 2.5V 보다 낮은 1.8V로 낮춰 전력소모를 50%이상 줄인 획기적인 제품이다. 하이닉스는 이 제품에 전기·전자부문 국제표준화기구인 제덱(JEDEC)에서 인증된 소비전력 절감 규격인 ‘PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전)’, TCSR(온도에 따라 충전 속도조절)’, DPD(사용중단시 D램 작동차단)’, DS(충력부의 부하에 따라 소비전력 최소화)’라는 특수기능을 적용, 제품 성능의 효율화를 극대화 시켰다.

특히 TCSR 기능은 ‘Automatic TCSR(칩 내부에서 자동으로 온도에 따라 충전속도를 조절)’이라는 새로운 방식을 채용, 경쟁사 대비 응답속도와 전력 소모면에서 월등한 경쟁력을 갖추고 있다.

한편 하이닉스는 향후 일반 SD램 보다 1.5배 이상 가격이 비싼 고부가가치 제품인 휴대형정보기기용 초저전력 SD램 시장에서 자체 브랜드인 ‘핸디 SD램’의 적극 육성을 통해 초기 시장 확보에 따른 매출 증대를 기대하고 있다.




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