SK하이닉스, 초고속 D램 ‘HBM2E’ 본격 양산

[충청매일 이우찬 기자] SK하이닉스가 초고속 D램인 ‘HBM2E’의 본격 양산에 들어갔다.(사진)

지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월 만에 이룬 성과다.

SK하이닉스는 2일 이같이 밝히고 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1천24개의 정보 출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다고 설명했다. FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이다. 용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. 초고속·고용량·저전력 특성을 보인 HBM2E는 고도의 연산력이 있어야 하는 딥러닝 가속기(Deep Learning Accelerator), 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 주목받고 있다. 이외에도 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일(Exascale) 슈퍼컴퓨터(초당 100경 번 연산 수행이 가능한 고성능 컴퓨팅 시스템)에 채용이 전망된다.

SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 “이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 기회로 삼을 것”이라고 말했다.