이달부터 대량 생산‥ 매출 3위 목표
하이닉스 반도체(대표 우의제)가 512Mb 낸드(NAND·데이터저장형) 플래시메모리에 대한 개발을 완료하고 이번 달부터 본격 양산에 들어간다.
지난해 4월 유럽 반도체 업체인 ST마이크로(STMiroelectro nics)사와 낸드 플래시메모리에 대한 전략적 제휴를 맺은 하이닉스 반도체는 기존 노어(NO R·코드저장)플래시메모리 기술을 기반으로 낸드 제품 개발에 진력한 결과 조기에 본격적인 양산체제에 돌입하게 됐다.
하이닉스가 이번에 개발한 512Mb 낸드 플래시메모리는 회로선폭 120나노(1나노=10억분의 1미터)급 공정기술을 적용한 제품으로, MP3 파일의 경우 약 1시간 이상의 노래를 저장할 수 있으며, 문서의 경우 신문지 4천장, 단행본 80권 분량의 자료를 저장할 수 있다.
수요가 폭발적으로 증가하고 있는 낸드 플래시메모리시장에서의 조기 정착을 위해 ‘플래시 사업본부’를 신설하는 등 회사의 핵심 역량을 집중하고 있는 하이닉스는 올해 4분기에는 90나노급 미세회로 공정기술을 적용한 1Gb와 2Gb 제품을 선보이고, 2005년에는 70나노급 공정기술을 적용한 제품개발 등을 통해 낸드 플래시메모리 시장에서 매출 3위를 목표로 하고 있다.
유선우 대리는 “낸드 플래시 메모리는 D램과 달리 전원이 끊어져도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있고 정보의 입출력도 자유로운 장점이 있어 현재 디지털TV, 디지털 캠코더, 디지털카메라, 이동통신단말기, 개인휴대단말기(PDA), MP3플레이어, 게임기 등에 널리 사용되고 있다”고 말했다.